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热烈祝贺我室常凯研究员当选中国科学院院士

根据中国科学院《关于公布2019年中国科学院院士增选当选院士名单的公告》,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室常凯研究员当选中国科学院院士(数学物理学部)。 常凯,中国科学院半导体研究所研究员。 1964年8月出生于安徽潜山,阜阳师范学院学士,北京师范大学硕士,博士。2001年入选中科院人才计划, 2005年度获得国家杰出青年基金资助,曾获2004年国家自然科学二等奖(排名第三),2013年黄昆固体物理和半导体物理奖。2019年当选为中国科学院数理学部院士。  他提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙,发现极性界面处存在极强的局域电场,可以显著的改变其能带结构,后得到实验证实。这为人工设计半导体物性打开了新的途径,在半导体结构中实现宽光谱光电响应(从红光到太赫兹);在主流半导体(Ge,InN)中实现拓扑相,突破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统认识。发现窄能隙半导体非线性Rashba自旋轨道耦合效应,指出Rassba线性模型是常凯模型的一阶近似,而非线性行为是不可避免的,纠正了长期广泛使用的Rashba模型随动量增加而出现的严重偏差。预言窄能隙体系是观测自旋霍尔效应的最佳体系,并提出电场调控磁性的方案, 为自旋调控提供了新机制。发展多带多体有效质量理论,在窄能隙半导体量子结构中发现激子绝缘体及新奇电子态的存在,得到实验验证。他的工作揭示了半导体量子结构中丰富的物理内涵。常凯是我国半导体理论物理领域一位优秀的学科带...

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  • 邀请报告-杜海峰-金属螺旋磁体纳米结构的制备及功能化-2020年12月17日10:00 2号楼303A

    金属螺旋磁体纳米结构的制备及功能化杜海峰中国科学院强磁场科学中心*Email: duhf@hmfl.ac.cn金属螺旋磁体,如MnSi、FeGe,由于同时存在自旋、轨道、晶格多种自由度的关联与耦合,表现出丰富的材料特性,一直是磁性材料领域研究的热点与前沿。特别地,2009年在此类材料中发现一种拓扑稳定的磁结构,即磁斯格明子(Skyrmion)。斯格明子具有尺寸小、稳定性高和易操控等系列特点,具有潜在的应用价值构建高密度、高速度、低能耗磁存储器件,引起了广泛关注。存储器的基本功能是数据的编码、读写。从实验角度,这要求要充分了解的斯格明子在纳米结构中的物性、进而解决斯格明子的可控读写、操控等系列问题。在本报告中,我们将介绍通过微、纳加工方法,制备和器件密切相关的纳米结构的方法。进一步介绍利用原位洛仑兹透射电镜研究纳米结构中电流对斯格明子形成、运动的影响,及利用输运方法实现单个斯格明子的电探测。主要参考文献:[1]. Du, H. , et al., Nature ...

  • 物理沙龙-东南大学王金兰教授(12月14日下午3点,2号楼303A)

    二维材料的性能提升与高效筛选                           12月14日下午3点,2号楼303A 东南大学物理学院  王金兰Email: jlwang@seu.edu.cn 以石墨烯、二硫化钼为代表的原子层厚度的二维材料展现了极其丰富的光、电、磁性及催化活性,在光电器件、自旋电子器件等方面具有广泛的应用前景。计算机辅助的理论模拟与设计在新型功能材料设计中起到了越来越重要的作用。本报告将介绍本课题组近几年里结合第一性原理计算与人工智能算法在二维材料的光电性能提升与新型二维功能材料的高效筛选方面的一些进展:1) 二维过渡硫族化合物的缺陷调控与光电性能提升; 2)二维黑磷的降解机制与保护;3)基于机器学习的二维铁磁材料的高效筛选。这些研究工作为二维功能材料的性能优化及其在光电器件与自旋电子器件等方面提供了理论基础和理论指导。References:[1]   H. Qiu, J. Wang*, et al., Nat. Commun. 4, 2642 (2013).[2]   Z. Yu, J. Wang*, et al., Nat. Commun. 5, 5290...