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室教授委员会召开第一次全体会议

    第一次教授委员会会议于2010年12月13日上午8:30在2号楼303A会议室召开,参会人员包括:郑厚植院士、李树深研究员、杨富华研究员、吴晓光研究员、赵建华研究员、李桂荣研究员、孙宝权研究员、张新惠研究员、常凯研究员、吴南健研究员、牛智川研究员以及王开友研究员,共12人。

    郑老师首先从更高角度的角度看待整个半导体物理学,希望我们可以借鉴,通过对当前半导体物理前沿的了解,展望未来。常凯研究员介绍了理论方面各位老师的研究内容:吴晓光研究员主要对半导体低维结构中的电荷及自旋的光学和输运性质研究,以及量子阱中的混沌感兴趣;李树深研究员主要是研究声子瓶颈问题;常凯研究员主要是对石墨烯中的自旋相关物理问题、拓扑绝缘体以及量子点中的少电子问题感兴趣。然后常凯研究员比较详细的介绍了他自己在拓扑绝缘体方面的理论研究工作。

    大家一致认为关系我们室发展的重要问题包括:1)如何有效提高或者改进实验手段;2)如何利用现有资源在某个/些领域开展深入研究?(理论联系实际、利用各种实验手段等?);3)人才队伍的建设及杰出人才的引进?;4)5-10年长远研究规划? (研究领域的拓展、重点发展方向以及目标等)。

    通过讨论大家都希望在下一次教授委员会会议中讨论如何有效提升我们的实验手段!