2013年9月13日，中国物理学会2013年秋季年会在厦门大学开幕。在开幕式上宣读的2012――2013年度中国物理学会各项物理奖项中，我室常凯研究员荣获“黄昆物理奖”。中国物理学会的授奖词如下：
中国科学院半导体研究所常凯研究员在半导体电子自旋相关物理性质的理论研究方面取得如下代表性的成果：（1）提出非线性 Rashba 自旋轨道耦合模型，发展了全能带的本征自旋霍尔效应理论，语言了电场驱动的正常相到拓扑相的转变；（2）给出拓扑绝缘体标题磁离子的 RKKY 关联和电场调制方案，为理解拓扑绝缘体表面磁性提供了理论基础；（3）发现拓扑绝缘体量子点中电子回音壁态并预言可观测到 AB 效应，提出 SQUID 探测方案；（4）提出利用界面极化产生超强电场实现半导体材料的带隙调控，并将常见的宽带隙半导体驱动到拓扑绝缘体相，极大地拓展了拓扑绝缘体材料的范围。